ROHM Si MOSFET仿真模型概要

本文将就ROHM提供的Si MOSFET（以下简称 MOSFET）仿真模型的种类、结构、模型参数等概要进行说明，并与其他公司模型进行对比。

SPICE模型的种类

SPICE模型分为"紧凑模型（器件模型）"和"子电路模型"两种。紧凑模型（器件模型）针对双极晶体管、二极管等单一元件，语法以".MODEL"开头。子电路模型由多个元件组合构成，适用于MOSFET、SiC功率器件、IGBT等。其语法以".SUBCKT"开头，以".ENDS"结尾。在子电路模型中，MOSFET采用由被动元件、主动元件和电源构成的等效电路所定义的宏模型进行记述，因此存在多个".MODEL"。而SiC功率器件和IGBT等则采用行为模型进行记述，行为模型通过自定义数学公式来再现宏模型无法实现的器件特性。

· 什么是紧凑模型（器件模型）

紧凑模型（器件模型）是通过等效电路再现双极晶体管、二极管等各元件的电气特性的模型，其内部预置了多个表征等效特性的特定数学公式，并记述了公式中使用的多个系数。由于数学公式不可更改，其能精确再现的电气特性存在局限性。双极晶体管一般采用 Gummel-Poon（根梅尔-普恩）模型。

· 什么是子电路模型

子电路模型将多个元件记述在一个文件中，使其可作为一个部件（component）来处理。通过组合多个元件构建等效电路，可创建比紧凑模型（器件模型）精度更高或具有特定功能的模型。根据定义方式，子电路模型可分为"宏模型"和"行为模型"两种类型。

宏模型由多个紧凑模型（被动元件与主动元件）及其电路连接信息构成。

行为模型组合多个元件构建等效电路，使用自定义函数定义各元件的特性表达式，其结构中包含这些函数表达式及电路连接信息。

罗姆提供的仿真模型

罗姆提供的MOSFET仿真模型均为子电路模型，具体分为以下两类：

1. SPICE模型

适用于PSpice及LTspice的模型，其文件名如下所示。虽存在多种文件名，但所有模型均可用于两种仿真器中。

2. 热模型

提供结温至外壳的热模型，或结温至环境温度的热模型（Cauer型RC热网络）。

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