双向充电福音——晶扬电子40V双向氮化镓（GaN）功率管，覆盖消费电子/便携设备/AI数据中心多场景电源设计
快充功率不断突破的今天，智能手机、电子设备的电源正面临更严苛的设计挑战：既要支持更高的功率密度，又要满足双向电流传输，还要在寸土寸金的主板内实现极小体积布局。传统硅基MOS在导通损耗、反向耐压、封装尺寸上逐渐触达瓶颈，GaN器件的小型化落地正在打开全新的设计空间。
晶扬电子的双向GaN增强型功率晶体管——TGE005040B2W22，基于硅基GaN E-mode HEMT技术，以40V双向阻断能力、毫欧级导通电阻与超小封装，适合在高压侧负载开关、智能手机USB接口OVP保护、供电系统的开关电源等场景中应用。
四大核心技术亮点
直击端口设计痛点
01 双向阻断能力，简化外围电路
单颗TGE005040B2W22即可实现传统方案中两颗单向MOS管背靠背串联才能完成的双向阻断与开关功能。TGE005040B2W22支持双向40V耐压，在USB OVP、多电源切换等需要双向阻断的场景中，可大幅减少外围器件数量、节省PCB面积，同时可避免反向二极管带来的额外导通损耗。
02 增强型 HEMT 架构，驱动设计更简单
TGE005040B2W22采用增强型(E-mode)HEMT技术，属于常关型器件，无需负压关断电路，可兼容传统硅MOS的驱动方案，大幅降低开发门槛与系统BOM成本，适配成熟的电源管理芯片驱动逻辑。
03 毫欧级导通电阻+低栅极电荷，损耗全面优化
TGE005040B2W22典型导通电阻仅8mΩ(VGD=6V、ID=10A 条件下)，大电流场景下导通发热极低，有效提升电源整体效率;
总栅极电荷典型值仅11.6nC，配合0.32Ω栅极电阻，开关速度快、驱动损耗小，适配高频开关应用，进一步优化系统能效。
04 超小WLCSP封装，适配极致紧凑空间
采用2.1mm×2.1mm WLCSP封装，体积远小于传统DFN封装器件，完美适配智能手机、便携式电子产品内部高密度PCB布局，满足消费电子小型化、薄型化的设计趋势。
关键电气参数一览
产品性能测试曲线
晶扬电子 | 电路与系统保护专家
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年，是国家重点专精特新“小巨人”科技企业、国家高新技术企业、深圳知名品牌、广东省制造业单项冠军产品、深圳市制造业单项冠军企业，知识产权示范企业，建成广东省ESD静电保护芯片工程技术研究中心，荣获中国发明创业奖金奖等。是多年专业从事IC设计、生产、销售及系统集成的集成电路设计公司，在成都、武汉和加拿大设立有研发中心，拥有超百项知识产权和专利，业内著名的“电路与系统保护专家”。为各类电子产品提供全方位、全覆盖的静电保护、高边开关等保护方案。
主营产品:ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、工业&车规传感器、高边开关(HSD)芯片、电流传感器、汽车开关输入芯片等。
